我们在5-350K温度范围内沿自由晶体、固定晶体的三个晶体轴方向施加磁场测定了Ho₂Co₁₅Si₂单 晶的磁性能。自由晶体的磁化强度温度依赖关系表明Ho和Co的磁矩在35K补偿，在室温以上的一定温区发生连续的易面-锥-轴的自旋再取向转变。总磁化强 度的磁场依赖关系表明在三个晶体轴方向的磁性显著不同。低温磁化曲线表明存在场致磁性相变，高温磁化曲线表明存在磁化强度的各向异性。计及分子场交换作 用、晶体场交换作用和磁矩各向异性，用双亚点阵模型详细地分析了我们的数据，特别是场致和温度诱导磁性相变。通过模型计算和模拟实验结果，对Ho₂Co₁₅Si₂单晶得到了一组晶体场和Ho-Co交换场参数。计算得到的磁性值与实验结果在所有测量的温区符合得很好，表明所确定的参数的可信性。我们还发现在自旋再取向时Ho 磁矩发生轻微的改变，在高温磁化曲线存在一个很明显的磁化强度各向异性。这些现象主要归因于Ho 磁矩显著的方向依赖性。